随着中国新能源汽车行业迅速生长,车载充电器应用需求与日俱增。士兰的功率半导体产品为车载产电器提供更快速、更小型且更可靠的全套设计计划。
针对差别拓扑应用,Silan提供第五代IGBT产品用于前级各功率段PFC拓扑,而Hybrid IGBT与SJ MOS适用于差别控制战略的后级DC-DC拓扑,实现6.6kW车载充电器的小型化及高可靠性能。
同时为实现更高功率、更高母线电压的市场需求,Silan提供1200V SiC MOS,获取更快充电速率,大幅镌汰充电时间。低压MOS则适用于配套高压DC-DC电路,为辅助电池提供更高的充电功率,知足越发富厚的智能座舱及影视娱乐需求。
士兰车载充电器的硬件拓扑如下图,在各拓扑应用中使用士兰IGBT、MOSFET计划。
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